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SE-VE光譜橢偏儀
本設備基于單旋轉補償器調(diào)制技術一次性獲取Psi/Delta、N/C/S、反射率等光譜,可實現(xiàn)基底上單層到多層薄膜的膜厚、光學常數(shù)的快速分析表征。
SE-VE光譜橢偏儀
本設備基于單旋轉補償器調(diào)制技術一次性獲取Psi/Delta、N/C/S、反射率等光譜,可實現(xiàn)基底上單層到多層薄膜的膜厚、光學常數(shù)的快速分析表征。 1) 光譜范圍:400-800nm 2) 入射角:65° 3) 光斑大?。?/font>200μm 4) 調(diào)制技術:PCRSA調(diào)制技術 5) 重復性測量精度:0.01nm(100nm 硅基SiO2樣件,30次重復測量) 6) 膜厚測量范圍:0.1nm—20μm 7) 單點測量時間:<5s 8) 光源:高性能進口鹵素燈光源(鹵素燈壽命:2,000h) 9) 可視化樣品顯微對準系統(tǒng) 2、 樣品臺規(guī)格: 1) 基板尺寸:最大支持樣件尺寸到Ф180mm 2) Z軸位移行程:0-10mm 3) 樣件臺俯仰角度:> ±2° 3、 測控與分析軟件 1) 光譜測量能力:PSI/DELTA橢偏光譜、N/C/S光譜、反射率光譜測量 2) 數(shù)據(jù)分析能力:具備單層、多層膜厚、光學常數(shù)(折射率、消光系數(shù))分析能力 3) 支持常用光學常數(shù)模型以及常用振子模型(柯西模型、洛倫茲模型、高斯模型等),并支持圖形化多振子混合模型擬合功能 4) 支持多組分薄膜與體材料光學常數(shù)、組分比例分析功能; 核心算法包含嚴格耦合波模型、等效介質(zhì)模型 5)支持用戶自定義,軟件不限制拷貝數(shù)量,支持windows10操作系統(tǒng)
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